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標準蒸發源
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產品概述 Product Overview
雙溫區裂解源是針對一些蒸氣壓高的材料，如Se, Te, As, Mg, Sb, CdTe和ZnTe等設計的裂解源，目的是在材料蒸發過程中使原子簇團獲得額外的熱量進行裂解。雙溫區蒸發源有兩個獨立的加熱絲，底部蒸發區溫度可達1000 ℃，頂部裂解區可達1400 ℃。
坩堝材質為PBN，容積50cc。在50cc坩堝內會放置一個由Ta、PBN或PG材料制作的內襯坩堝。內襯坩堝底部中心有一個很小的孔，通過改變孔的尺寸，可以控制束流分布和密度。
規格說明 Specification
● 型號：E38DZ
● 加熱系統： 輻射加熱，帶有PBN支撐片的Ta加熱絲● 溫度穩定性 ≤0.1% (取決于PID控制器)
● 可選線性移動閥
● 擋板：可選Ta擋片（手動/氣動)
● 超高真空兼容，極限真空10-11 mbar
| 法蘭尺寸 | 坩堝尺寸 | 分區 | 工作溫度 | 最大除氣溫度 | 熱電偶 | 溫度穩定性 |
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NW38CF(O.D. 2.75”) |
50 cc |
頂部裂解區 | 300~1400℃ | 1500℃ | C |
±0.1% |
| 底部蒸發區 | 100~1000℃ | 1100℃ | K |
測試曲線圖 Test Curve
| —————— 碲束流溫度曲線 —————— | —————— 碲薄膜沉積曲線 —————— |
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產品尺寸 Dimension Drawing
視頻 Video
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